矽赫科技已获授权的国家自主发明专利“一种欧姆接触半导体接触结构”（以下简称“矽赫专利”）针对n型GaAs半导体材料，通过多层金属堆叠设计（初始接触层、第三金属层、第四金属层），优化了氧化层附着力和接触电阻。其核心在于通过金属层间的扩散效应和厚度梯度设计，平衡界面结合强度与电学性能。这一技术在高频、高功率半导体器件（如5G通信、6G通信、激光器）中具有重要应用价值，同时其产业化推动了晶圆高精度对准、键合及缺陷检测等配套技术的发展。

1.晶圆高精度对准与欧姆接触的界面优化

欧姆接触的可靠性高度依赖于金属-半导体界面的原子级对准。

2.晶圆键合与异质集成热管理

晶圆键合技术对异质材料集成至关重要。

3.缺陷检测与工艺质量控制

缺陷检测技术直接影响欧姆接触的良率。

重大意义：

1.产业发展的协同效应，推动第三代半导体材料产业化

矽赫专利基于GaAs的设计，与第三代半导体（如GaN、SiC、氧化镓）的欧姆接触需求高度相关。

2.促进先进封装技术升级

晶圆级封装（WLP）和三维集成技术需高精度对准与键合。例如，微电子所通过低温臭氧准原子级处理（qALE）技术优化了GAA晶体管的沟道界面，降低了亚阈值摆幅。

3.加速国产替代与产业链自主化

将推动国产半导体设备，如蒸镀机、激光退火设备和材料，如高纯度金属靶材自主化进程。